在2025年中国国际工业博览会（CIIE）上，芯上微装（Shanghai Micro Electronics Equipment, SMEE的关联企业或新兴国产光刻设备代表）作为中国高端半导体装备自主创新的重要力量，集中展示了其在光刻机国产化进程中的多项关键技术突破。这些成果不仅标志着我国在极紫外（EUV）与深紫外（DUV）光刻技术路径上的加速追赶，也体现了全产业链协同攻关的阶段性胜利。以下是其展出的核心技术亮点与战略意义的深度解读：

一、高数值孔径（High-NA）深紫外沉浸式光780i型光刻机原型亮相

芯上微装首次公开展示了自主研发的High-NA DUV沉浸式光刻机780i原型系统，该设备采用193nm ArF激光光源，数值孔径提升至0.85以上，配合多重曝光工艺，可支持逻辑芯片制程延伸至7nm节点，并在部分成熟工艺平台上实现等效5nm patterning能力。

技术突破点：

自主设计的高精度光学投影物镜系统，由长春光机所与芯上联合研发，实现波像差控制在≤3.5mλ（RMS），接近国际先进水平；

沉浸式液体控制系统实现超薄水膜稳定流动，抑制气泡生成，提升分辨率与焦深一致性；

多自由度精密工件台定位精度达±1.5nm，重复定位精度优于0.8nm，采用全磁悬浮驱动与激光干涉反馈闭环控制。

从更深远的层面来看，这一举动所蕴含的意义非同小可。它标志着中国在DUV光刻机领域已经成功地摆脱了对ASML完全依赖进口的困境，这对于国内半导体产业来说无疑是一个具有里程碑意义的突破。

这一成果不仅为中芯国际、华虹等重要的芯片制造企业提供了一种“去美化”的替代方案，使得他们在生产过程中不再完全受制于国外技术，更重要的是，它为中国在汽车芯片、功率器件、MCU等虽然并非处于技术尖端，但却具有高度市场需求的领域，构建起了一条自主可控的供应链。

这样一来，中国的半导体产业将能够在这些关键领域实现自给自足，减少对外部供应的依赖，从而提升产业的稳定性和安全性。同时，这也为国内相关企业提供了更多的发展机遇，有助于推动整个产业链的协同发展，进一步提升中国在全球半导体市场中的竞争力。

二、面向28nm及以下节点的套刻精度优化系统（Overlay Control System）发布

针对国产光刻机长期受限于套刻误差大的痛点，芯上微装推出了新一代智能套刻补偿系统——“曦光OS-3000”，集成AI实时调校算法与多传感器融合技术。

核心功能：

基于深度学习的晶圆形变预测模型，提前修正因热膨胀、应力导致的层间偏移；

在线测量模块每小时可完成超过300片晶圆的overlay数据采集，并动态调整曝光参数；

实测平均套刻误差（Total Overlay Error）降至≤3.2nm（3σ），满足28nm HKMG及FinFET工艺要求。

行业影响：此系统大幅提升了国产光刻机在量产环境下的稳定性与良率表现，使SMEE SSB600系列设备有望进入主流Foundry厂的认证名单。